三星多层片式陶瓷电容

多层片式陶瓷电容.PDF

　　高稳定性，无电容老化

　　可在高达125°C的温度下运作

　　高可靠性、无极性

　　符合RoHS规范且无卤素

此类介质材料的电容器为Ⅰ类电容器
包括通用型高频C0G(NPO)电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。
其中C0G(NPO)电容器电性能最稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，
适用于低损耗，稳定性要求高的高频电路，HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化，
适用于低损耗、温度补偿型电路中。